| 专利号 | 2018106011050 | 申请日 | 2018-06-12 | 专利名称 | 一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法 |
| 授权日 | 2023-07-07 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张国栋;刘琳;张鹏;陶绪堂 |
| 主分类号 | C30B29/12 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法，该装置包括炉体、与炉体连接用于支撑炉体的机架和支撑机构；炉体包括炉管和包覆在炉管外表面的保温套，炉管和保温套之间设置有加热炉丝；支撑机构通过旋转装置与长晶杆连接用于控制长晶杆的旋转，长晶杆穿插设置在炉管中，长晶杆位于炉管中的端部设置有生长石英安瓿；支撑机构还通过升降杆与升降支架连接用于控制长晶杆的升降。采用该装置既可精确控制晶体生长的温度，又可随时监控晶体生长的状况。同时，通过物理气相传输法也易获得大尺寸、高质量的晶体。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
