| 专利号 | 2018100501732 | 申请日 | 2018-01-18 | 专利名称 | 一种Ni-Co-S纳米针阵列的制备方法及其应用 |
| 授权日 | 2020-11-06 | 专利权人 | 济南大学 | 发明人 | 徐锡金;何为东;魏云瑞;季科宇;张东鑫 |
| 主分类号 | H01G11/24 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种Ni‑Co‑S纳米针阵列的制备方法，其主要改进点为，将水热反应的时间控制在8h时，水热反应的温度120℃增大到160℃，Ni‑Co‑S纳米片阵列将转变成Ni‑Co‑S纳米针阵列；成功的说明了硫化过程对纳米材料形貌的影响。将制备的Ni‑Co‑S纳米阵列作为自支撑电极，在碱性电解液中通过三电极测试，当电流密度为2mAcm‑2时比电容高达1.334Fcm‑1，大电流充放电时比电容保持率可达到80％(电流密度在20mAcm‑2时)，同时具有极好的导电性。这项研究提供了一种普适的、廉价的生产高性能超级电容器电极的方法，为便携式电子器件的发展提供了一条新思路。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
