| 专利号 | 201810077554X | 申请日 | 2018-01-26 | 专利名称 | 一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法 |
| 授权日 | 2020-10-16 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 李康;张兆星 |
| 主分类号 | C30B29/36 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种大尺寸SiC单晶生长装置及其工作方法。本发明所述大尺寸SiC单晶生长装置的加热方式，与传统的单频加热方式相比，在保持了感应加热结构简单、热效率更高、加热速率快的前提下，又能有效的减小晶体生长装置中晶体生长面的径向温度梯度，从而改善晶体生长形貌，提高晶体品质，能有效的满足大尺寸SiC单晶生长装置的加热要求。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新材料产业 先进无机非金属材料 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
