| 专利号 | 2020106930438 | 申请日 | 2020-07-17 | 专利名称 | 一种CMOS像素传感器 |
| 授权日 | 2021-10-08 | 专利权人 | 山东大学 | 发明人 | 张亮;王萌;董家宁;王安庆;李龙 |
| 主分类号 | H01L27/146 | 关键词 | 应用领域 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种CMOS像素传感器，包括P型衬底、P型高阻外延层、N阱、P阱、深N阱和深P隔离层；其中，深N阱和P型高阻外延层形成P‑N二极管；深N阱上的N阱和N型有源区构成通路，通过金属线连接其他读出电路；深P隔离层用来隔离深N阱内的器件，深P隔离层内的N阱和P型有源区用于制作PMOS晶体管，深P隔离层内的P阱和N型有源区用于制作NMOS管。 | ||||
| 创新点 | |||||
| 技术分类 | 标 签 | 战兴产业 | 新一代信息技术 电子核心产业 | ||
| 运营方式 | 合作方式 | ||||
| 联系人 | 联系电话 | 电子邮箱 | |||
| 详细说明 | |||||
